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该反渗透设备专为电子芯片生产全流程设计，提供高纯度、无杂质的生产用水，适配芯片光刻、蚀刻、封装等核心工序，解决芯片生产中水中微量离子、有机物、颗粒物等杂质导致的芯片性能下降、良品率降低等问题，满足电子级纯水标准，助力芯片生产提质增效，适配中高端芯片规模化生产需求。
工作原理：采用二级反渗透（RO）核心工艺，搭配预处理（石英砂过滤+活性炭过滤+精密过滤）和后处理（EDI深度除盐）系统，利用半透膜的选择性透过原理，在高压驱动下，使原水（自来水/软化水）中的水分子透过反渗透膜，而水中的离子、有机物、悬浮物、微生物等杂质被膜截留并随浓水排出；通过多级过滤与深度除盐协同作用，去除水中99.9%以上的杂质，最终产出符合电子芯片生产要求的高纯度纯水，全程自动化控制，确保出水水质稳定。
技术参数：
1. 产水量：5-50m³/h（可定制）；
2. 出水水质：电导率≤0.1μS/cm，电阻率≥10MΩ·cm，SiO₂≤20μg/L，颗粒物（≥0.2μm）≤1个/mL；
3. 反渗透膜：进口陶氏/海德能CPA3-LD，脱盐率≥99.8%；
4. 操作压力：1.0-1.5MPa；
5. 进水要求：浊度≤1NTU，SDI≤5，余氯≤0.1mg/L，水温5-45℃；
6. 运行功率：15-120kW（根据产水量定制）；
7. 控制方式：PLC全自动控制，配备触摸屏操作，支持远程监控与故障报警。
性能优势：
1. 出水纯度高，严格契合电子芯片生产电子级纯水标准，有效避免杂质对芯片光刻、蚀刻工序的影响，提升芯片良品率；
2. 采用进口反渗透膜，脱盐率高、使用寿命长，抗污染能力强，适配芯片生产长期连续运行需求；
3. 预处理+二级RO+EDI组合工艺，水质稳定性强，可应对进水水质波动，确保出水指标持续达标；
4. 全自动运行，无需人工值守，配备故障报警、自动冲洗、停机保护等功能，运维成本低；
5. 能耗低，相比传统蒸馏法，节水节电30%以上，契合电子行业节能降耗需求；
6. 结构紧凑，占地面积小，可灵活安装于芯片生产车间设备间，适配车间场地规划；
7. 材质耐腐蚀，与水接触部件采用316L不锈钢，无二次污染，保障生产用水安全。