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该反渗透设备聚焦半导体晶圆清洗工序，提供高纯度、无残留的清洗用水，适配8英寸、12英寸晶圆的清洗需求，解决清洗过程中水中杂质残留导致的晶圆表面划伤、电路短路等问题，确保晶圆表面洁净度，为后续光刻、封装工序奠定基础，适配半导体晶圆规模化生产场景。
工作原理：采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+紫外线消毒”组合工艺，原水经预处理去除泥沙、悬浮物、余氯等大颗粒杂质，进入一级反渗透系统去除大部分离子和有机物；二级反渗透进一步提升水质纯度，去除微量残留杂质；EDI深度除盐系统降低水中电导率，紫外线消毒去除水中微生物，最终产出高纯度清洗用水；设备通过PLC智能控制，实现进水、过滤、反洗、产水全流程自动化，确保出水水质均匀稳定，满足晶圆清洗的严苛要求。
技术参数：
1. 产水量：3-30m³/h（可定制）；
2. 出水水质：电导率≤0.06μS/cm，电阻率≥18MΩ·cm，SiO₂≤10μg/L，颗粒物（≥0.1μm）≤1个/mL；
3. 反渗透膜：进口陶氏BW30-400FR，脱盐率≥99.85%；
4. 操作压力：1.2-1.6MPa；
5. 进水要求：浊度≤0.5NTU，SDI≤3，余氯≤0.05mg/L，水温10-40℃；
6. 运行功率：10-80kW（根据产水量定制）；
7. 控制方式：PLC全自动控制，支持自动反洗、在线水质监测、故障自动停机。
性能优势：
1. 出水洁净度高，无离子、有机物残留，避免晶圆清洗后表面产生污渍、划痕，提升晶圆清洗合格率；
2. 针对性适配晶圆清洗场景，水流稳定，可根据清洗工序需求调整出水流量，适配不同规格晶圆清洗；
3. 反渗透膜抗污染能力强，不易堵塞，反洗频率低，减少运维工作量，保障连续生产；
4. 全流程自动化控制，在线监测水质指标，出现异常自动报警，运维便捷，降低人工成本；
5. 能耗低，水回收率≥75%，大幅减少水资源浪费，契合半导体行业绿色生产要求；
6. 设备运行稳定，故障率低，可24小时连续运行，适配晶圆规模化生产节奏；
7. 模块化设计，后期可根据产能提升灵活扩容，适配企业产能升级需求。