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该反渗透设备专为半导体光刻工序设计，提供超高纯度、无杂质、无离子的光刻用水，适配深紫外光刻、极紫外光刻等高端光刻工艺，解决光刻过程中水中微量杂质导致的光刻胶失效、线路模糊、芯片缺陷等问题，满足光刻工序的电子级超纯水标准，助力提升光刻精度与芯片良品率，适配高端半导体芯片生产。
工作原理：采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+抛光混床+超滤”组合工艺，原水经预处理系统去除泥沙、悬浮物、余氯、有机物等杂质；一级RO与二级RO系统逐步去除水中离子、大分子杂质，提升水质纯度；EDI深度除盐系统降低电导率，抛光混床进一步提纯，去除微量残留离子；超滤系统拦截微量颗粒物和微生物，最终产出超高纯度光刻用水；设备通过PLC智能控制系统，实现全流程自动化运行，实时监测水质指标，确保出水水质稳定，满足光刻工序的严苛要求。
技术参数：
1. 产水量：6-50m³/h（可定制）；
2. 出水水质：电导率≤0.04μS/cm，电阻率≥18.2MΩ·cm，SiO₂≤3μg/L，颗粒物（≥0.1μm）≤1个/mL；
3. 反渗透膜：进口陶氏CPA3-LD，脱盐率≥99.9%；
4. 操作压力：1.3-1.7MPa；
5. 进水要求：浊度≤0.2NTU，SDI≤2，余氯≤0.05mg/L，水温15-35℃；
6. 运行功率：18-130kW（根据产水量定制）；
7. 控制方式：PLC全自动控制，支持远程监控、水质在线监测、故障自动停机保护。
性能优势：
1. 出水纯度极高，达到电子级超纯水标准，无离子、有机物、颗粒物残留，确保光刻精度，减少芯片缺陷；
2. 多级提纯工艺，水质稳定性极强，可长期保持出水指标达标，适配光刻工序连续生产需求；
3. 采用进口核心部件，运行效率高，抗污染能力强，使用寿命长，降低后期运维成本；
4. 全自动运行，无需人工值守，配备自动反洗、在线监测、故障报警等功能，运维便捷；
5. 水回收率高（≥75%），能耗低，契合半导体行业绿色生产、节能降耗要求；
6. 设备适配光刻车间洁净环境，结构紧凑，耐腐蚀、抗干扰，运行稳定，故障率低；
7. 模块化设计，可根据光刻产能提升灵活扩容，适配企业高端芯片生产升级需求。