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该反渗透设备聚焦半导体蚀刻工序，提供高纯度、无杂质的蚀刻用水，适配干法蚀刻、湿法蚀刻等工艺，解决蚀刻过程中水中微量离子、有机物导致的蚀刻不均匀、线路过刻、芯片损坏等问题，满足蚀刻工序的电子级纯水标准，助力提升蚀刻精度与芯片良品率，适配半导体芯片规模化生产。
工作原理：采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+紫外线消毒”组合工艺，原水经预处理系统去除泥沙、悬浮物、余氯、有机物等杂质；一级RO与二级RO系统逐步去除水中离子、大分子杂质，提升水质纯度；EDI深度除盐系统降低电导率，紫外线消毒杀灭水中微生物，确保出水水质符合蚀刻用水要求；设备通过PLC智能控制系统，实现全流程自动化运行，实时监测水质指标，确保出水水质稳定，适配蚀刻工序连续生产需求。
技术参数：
1. 产水量：4-40m³/h（可定制）；
2. 出水水质：电导率≤0.07μS/cm，电阻率≥14.3MΩ·cm，SiO₂≤12μg/L，颗粒物（≥0.1μm）≤1个/mL；
3. 反渗透膜：进口陶氏BW30-400FR，脱盐率≥99.85%；
4. 操作压力：1.2-1.6MPa；
5. 进水要求：浊度≤0.5NTU，SDI≤3，余氯≤0.05mg/L，水温10-40℃；
6. 运行功率：12-100kW（根据产水量定制）；
7. 控制方式：PLC全自动控制，支持远程监控、水质在线监测、故障自动报警。
性能优势：
1. 出水纯度高，契合蚀刻工序的电子级纯水标准，有效避免杂质影响蚀刻精度，减少芯片缺陷；
2. 水质稳定性强，可应对进水水质波动，全程保障出水指标达标，适配蚀刻连续生产；
3. 采用进口反渗透膜与EDI模块，运行效率高，抗污染能力强，使用寿命长，降低后期运维成本；
4. 全自动运行，无需人工值守，配备自动反洗、停机保护等功能，运维便捷；
5. 水回收率高（≥70%），能耗低，契合半导体行业节能降耗、绿色生产要求；
6. 设备运行稳定，故障率低，可24小时连续运行，适配芯片规模化蚀刻生产节奏；
7. 模块化设计，扩容便捷，可根据蚀刻产能提升灵活调整设备规模。